OET<sup>TM</sup>3200 氧化无痕处理设备 - 南京华伯仪器科技有限公司
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    由于市场对PID 抑制提出苛刻标准的需要,各大电池生产制造企业加大了PID抑制工艺设备改造的步伐,由于市场竞争的原因,高可靠、高安全、PID可达最佳抑制效果、产线量率能控制最好、PID抑制能100%达标的新型装备成为客户的首要选择。

    HBI的全球技术专利产品很好地解决了PID的工业化工艺难题,该设备通过在硅片表面生成高浓度的负氧离子气氛,同时在硅片表面施加热能、紫外照射使硅片表面均匀氧化,该氧化层非常致密并可深入硅片内部,具备明显的钝化作用。由于硅片表面氧化层非常致密,可有效抑制PID,通常HBI的标准机型量产可实现96小时双85测试PID值0.5%左右,HBI也是特殊承诺将标准机型量产实现96小时双85测试PID值小于2%作为设备的验收指标,确保100%PID抑制达到标准。由于硅片表面二氧化硅层非常致密,花斑不良不会增加,良好的钝化作用也使电池的效率得到提升,HBI在提供给客户设备的同时,会同时提供给客户产线前后工艺调整的工艺方案,确保客户在装机后快速的进入量产。

    产品特点
    采用HBI专利技术梯度浓度负氧离子洁净低温炉体,紫外光激发钝化形成致密氧化层,PID可抑制到0.5%;
    HBI专利工艺气体供应设计,硅片表面氧化均匀、没有死角,PID抑制100%达标,设备验收标准PID小于2%;
    设备具有消除硅片表面有机沾污的功能;可用于替代扩散前的热氧化;良好的钝化效果可提升转换效率;
    无污染腔体设计、无污染硅片传输系统,不增加外观不良;炉腔配气缸可灵活打开,方便维护;
    友好界面HMI、多重密码保护;选用高端部件,设备稳定可靠;本设备同时也是HBI SE+PERC的基础设备

    主要参数
    净产能:≥3200片/小时
    正常运行时间:≥99%
    碎片率 :≤ 0.05%
    硅片规格 :156*156mm±0.5mm或125*125mm±0.5mm,180µm
    上下料方式: 叠片、料盒(或各类25、50、100片花篮)
    电源: 三相五线制50Hz,8KW
    氮氧混合气:4 barg 10 SLM
    工作温度: 5-40 ℃
    工作湿度: ≤65%
    净重:459Kg
    尺寸与占地面积:4600*900*1450mm,4.14m²

    客户选型
    本设备用于离线生产模式
    可选择叠片、花篮上下片方式
    可选择翻片、缓存单元
    需说明硅片在花篮的误差范围并提供花篮样品
    多台设备安装在一起可减少操作人员
    安装设备室建议统一考虑SE+PERC设备的布置

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